钛酸锶钡/硅纳米孔柱阵列复合薄膜的制备及电学性能

来源期刊：功能材料2012年第3期

论文作者：肖顺华 王任衡 宝音

文章页码：338 - 686

关键词：钛酸锶钡;硅纳米孔柱阵列;复合薄膜;电学性能;

摘    要：采用溶胶-凝胶技术制备了钛酸锶钡薄膜（Ba0.7Sr0.3TiO3,BST）/硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）复合薄膜,扫描电镜显示BST均匀地覆盖在Si-NPA衬底的柱状表面,X射线衍射研究表明BST在600℃及以上退火温度下可形成钙钛矿相结构。剩余极化强度（Pr）和矫顽场（Ec）随着温度的升高而增大,在800℃退火温度下分别对应于4.57μC/cm2和7.61kV/mm。机理研究表明,肖特基发射和空间电荷限制电流两种机理共同作用于该薄膜材料的漏电流形成过程。