阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展

高双^1,2，曾飞^1,2，宋成^1,2，潘峰^1,2

1. 先进材料教育部重点实验室(清华大学)2. 清华大学材料学院

摘 要：硅基闪存是当前半导体市场的主流非易失性存储器,但其小型化日益接近物理极限.阳离子迁移型阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者之一,近些年受到科学界和工业界的广泛关注.本文从材料、阻变机理和器件性能3个方面综述了阳离子迁移型阻变存储器的研究进展,其中材料部分包括电极材料和存储介质,阻变机理部分包括金属导电细丝的存在、生长模式和生长动力学,而器件性能部分包括开关比、擦写速度、擦写功耗、循环耐受性、数据保持特性以及器件小型化潜力.最后,对本领域的未来研究重点进行了展望.

关键词：阻变存储器;阳离子迁移;氧化还原反应;金属导电细丝;非易失性存储器;