电场作用下AZ31B/Cu扩散界面的结构及性能

来源期刊：材料工程2015年第2期

论文作者：董凤 陈少平 胡利方 樊文浩 孟庆森

文章页码：35 - 40

关键词：扩散连接;电场;扩散溶解;AZ31B/Cu;

摘    要：采用电场激活扩散连接技术（FADB）实现了AZ31B/Cu的扩散连接。利用SEM、EDS和TEM分析了扩散溶解层的显微组织、相组成和界面元素分布。采用万能试验机对连接界面的抗剪切性能进行了测试。结果表明:AZ31B与Cu通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,扩散温度低于475℃时扩散溶解层由MgCu2、Mg2Cu和MgCuAl组成,此时接头的薄弱环节为Mg2Cu。扩散温度为500℃时扩散溶解层由Mg2Cu、（α-Mg+Mg2Cu）共晶组织和MgCuAl组成,共晶组织的形成导致接头的抗剪强度进一步降低,并成为新的薄弱环节。当扩散温度为450℃,保温时间为30min时,界面的抗剪强度随保温时间的延长先增大后减小,最大可达40.23MPa。