简介概要

LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺

来源期刊：功能材料与器件学报2008年第2期

论文作者：姜理利贾世星王立峰陆乐

关键词：LPCVD; 多晶硅; 掺P多晶硅;

摘要：对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA.

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姜理利¹，贾世星¹，王立峰¹，陆乐¹

(1.南京电子器件研究所,南京,210016)

摘要:对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA.

关键词:LPCVD; 多晶硅; 掺P多晶硅;

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