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PECVD法制备微晶硅薄膜的研究

来源期刊：功能材料2004年增刊第1期

论文作者：张德贤林列蔡宏琨郝延明

关键词：太阳电池; 微晶硅; 电导率; 光学带隙;

摘要：对等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si)薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究.从拉曼谱中可以明显看出,随着功率的增大,N型材料的非晶肩逐渐减小,材料的晶化率增大.随着温度的升高,P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低.

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张德贤¹，林列¹，蔡宏琨²，郝延明²

(1.南开大学,信息学院,天津,300071;
2.天津师范大学,物理与电子信息学院,天津,300074)

摘要:对等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si)薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究.从拉曼谱中可以明显看出,随着功率的增大,N型材料的非晶肩逐渐减小,材料的晶化率增大.随着温度的升高,P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低.

关键词:太阳电池; 微晶硅; 电导率; 光学带隙;

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