硅薄膜的热丝法淀积
来源期刊:稀有金属1999年第4期
论文作者:刘嘉禾 吴瑞华 罗志强 王世昌 刘莉
关键词:热丝法; 非晶硅薄膜; 多晶硅薄膜;
摘 要:系统地研究了热丝化学气相沉积技术中沉积气压、气体流量、钨丝温度、衬底温度对硅薄膜的结构、生长速率和光电性能的影响.通过优化各工艺参数,成功地制备出光暗电导比达104的非晶硅薄膜和晶粒尺寸达微米量级的晶相良好的多晶硅薄膜.
刘嘉禾1,吴瑞华1,罗志强1,王世昌1,刘莉1
(1.北京有色金属研究总院,北京100088)
摘要:系统地研究了热丝化学气相沉积技术中沉积气压、气体流量、钨丝温度、衬底温度对硅薄膜的结构、生长速率和光电性能的影响.通过优化各工艺参数,成功地制备出光暗电导比达104的非晶硅薄膜和晶粒尺寸达微米量级的晶相良好的多晶硅薄膜.
关键词:热丝法; 非晶硅薄膜; 多晶硅薄膜;
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