溅射温度对TaN薄膜应变敏感性能的影响

来源期刊：材料保护2013年第S2期

论文作者：李超 周勇 宋阳 贺利军 蒋书文

文章页码：51 - 52

关键词：TaN;TCR;GF;应变计;

摘    要：采用中频磁控溅射方法,在有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数（TCR）和应变敏感系数（GF）的影响。结果表明:溅射温度对TaN薄膜的微结构有显著影响;不同的溅射温度下,TaN会析出不同的晶相,不同晶相的TaN薄膜的电学性能和薄膜应变计的电阻温度系数都不相同;在400℃溅射温度下,N2分压为4%,溅射功率为200 W的条件下,制备的TaN薄膜应变计的TCR为50×10-6℃,GF为9,该薄膜应变计性能稳定,重复性好。