一维声子晶体的缺陷模特征
来源期刊：材料导报2008年增刊第2期
论文作者：刘启能
关键词：声子晶体; 转移矩阵; 缺陷模;
摘 要：推导出一维掺杂声子晶体的转移矩阵,研究了一维掺杂声子晶体的缺陷模特性.结果表明一维声子晶体掺杂后会在禁带中心处出现缺陷模.缺陷模随杂质厚度的变化呈周期性地出现,在同一周期内,缺陷模的频率随杂质厚度增加近似呈线性减小,但缺陷模的半高宽近似不变.缺陷模的半高宽随两介质声阻抗的差值的减少而增大.
刘启能1
(1.重庆工商大学计算机科学与信息工程学院,重庆,400067)
摘要:推导出一维掺杂声子晶体的转移矩阵,研究了一维掺杂声子晶体的缺陷模特性.结果表明一维声子晶体掺杂后会在禁带中心处出现缺陷模.缺陷模随杂质厚度的变化呈周期性地出现,在同一周期内,缺陷模的频率随杂质厚度增加近似呈线性减小,但缺陷模的半高宽近似不变.缺陷模的半高宽随两介质声阻抗的差值的减少而增大.
关键词:声子晶体; 转移矩阵; 缺陷模;
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