O2气流量对MOCVD法生长ZnO薄膜性质的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第2期
论文作者：杨树人 张源涛 杨小天 李正庭 杨天鹏 赵佰军 马艳 刘大力 李万成 杜国同
关键词：ZnO薄膜; MOCVD; PL谱;
摘 要：采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明:随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高.这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量.
杨树人1，张源涛1，杨小天1，李正庭1，杨天鹏1，赵佰军1，马艳1，刘大力1，李万成1，杜国同1
(1.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,吉林,长春,130023)
摘要:采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明:随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高.这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量.
关键词:ZnO薄膜; MOCVD; PL谱;
【全文内容正在添加中】
