一种提高硅集成电感Q值的方法
来源期刊:功能材料与器件学报2002年第1期
论文作者:严金龙 陈学良 刘畅
关键词:集成电感; Q值; 涡流;
摘 要:设计和制作了硅集成电感,采用常规的硅工艺,在衬底形成间隔的pn结隔离来减少硅衬底的涡流损耗.实验测量了硅集成电感的S参数并研究了衬底结隔离对硅集成电感的电感量和品质因素(Q)的影响.结果表明一定深度的衬底结隔离能有效地使电感Q值提高40%.
严金龙1,陈学良1,刘畅1
(1.中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,上海 200233)
摘要:设计和制作了硅集成电感,采用常规的硅工艺,在衬底形成间隔的pn结隔离来减少硅衬底的涡流损耗.实验测量了硅集成电感的S参数并研究了衬底结隔离对硅集成电感的电感量和品质因素(Q)的影响.结果表明一定深度的衬底结隔离能有效地使电感Q值提高40%.
关键词:集成电感; Q值; 涡流;
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