锗（Ⅳ）-3,4-二羟基苯甲醛体系的吸附溶出伏安法研究
来源期刊：分析试验室1990年第5期
论文作者：孙长青 高茜 奚居柏
文章页码：32 - 77
摘 要：本文研究了锗（Ⅳ）-3,4-二羟基苯甲醛（DHB）体系在悬汞电极上的微分脉冲吸附伏安法。提出了用该法测定微量锗的最佳体系为0.12mol/L HClO4+2.1×10-3mol/L DHB。当富集时间为5min时,最低检测浓度为1.2×10-9mol/L Ge。同时研究了此体系在悬汞电极上的吸附性和可逆性。
孙长青，高茜，奚居柏
摘 要：本文研究了锗（Ⅳ）-3,4-二羟基苯甲醛（DHB）体系在悬汞电极上的微分脉冲吸附伏安法。提出了用该法测定微量锗的最佳体系为0.12mol/L HClO4+2.1×10-3mol/L DHB。当富集时间为5min时,最低检测浓度为1.2×10-9mol/L Ge。同时研究了此体系在悬汞电极上的吸附性和可逆性。
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