CIGS电池、靶材及单靶溅射工艺研究进展

王丹¹，余洲¹，冀亚欣¹，闫勇¹，欧玉峰¹，晏传鹏¹，刘连¹，张勇¹，赵勇^1,2

1. 西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室2. 新南威尔士大学材料科学与工程学院

摘 要：综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度、溅射功率、工作气压)对沉积的CIGS薄膜的相结构、形貌、光学及电学性能的影响。

关键词：CIGS电池;粉末冶金;单靶溅射;光电性能;