磁控溅射技术制备Al2O3掺杂ZnO透明导电膜的性能
来源期刊：材料导报2011年第S1期
论文作者：田力 唐世洪
文章页码：322 - 324
关键词：ZnO;磁控溅射法;衬底温度;溅射偏压;退火工艺;
摘 要：以纯度为99.9%的98%（质量分数）ZnO、2%（质量分数）Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光谱仪等方法测试和分析了不同衬底温度、溅射偏压以及退火工艺对ZAO薄膜形貌结构、光电学性能的影响。结果表明,在衬底温度200℃、溅射时间30min、负偏压60V、退火温度300℃时制得的薄膜的可见光透过率为81%,最低电阻率为9.2×10-1Ω·cm。
田力，唐世洪
吉首大学物理科学与信息工程学院
摘 要：以纯度为99.9%的98%（质量分数）ZnO、2%（质量分数）Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光谱仪等方法测试和分析了不同衬底温度、溅射偏压以及退火工艺对ZAO薄膜形貌结构、光电学性能的影响。结果表明,在衬底温度200℃、溅射时间30min、负偏压60V、退火温度300℃时制得的薄膜的可见光透过率为81%,最低电阻率为9.2×10-1Ω·cm。
关键词：ZnO;磁控溅射法;衬底温度;溅射偏压;退火工艺;
