SiC超细粉制备机理研究
来源期刊：材料科学与工艺2008年第2期
论文作者：邹正光 申玉芳
关键词：SiC超细粉; 最小间距; Fe(OH)3胶桥; 等电点; 机理;
摘 要：以蒸馏水为研磨介质,采用行星式球磨机对平均粒径约为10μm的SiC粉料进行了球磨,对球磨粉料进行酸洗除铁及水洗,制备出平均粒径为351.5nm的SiC超细粉料,详细分析了粉料制各过程中的物理化学变化与机理.结果发现:粗分散体系长时间球磨所得超细粉体溶液形成肢体分散系,体系固相含量增加,颗粒平均最小间距减小,颗粒间的范氏引力倍增,易形成团聚体;超细粉料胶体溶液在酸洗过程中产生了硬团聚,主要是由于Fe2+氧化水化成为Fe(OH)3胶桥,将超细粉料钳住所致;另外,测试溶液接近SiC等电点时亦会导致颗粒团聚.酸洗去除胶桥、调解溶液pH值可有效消除团聚.
邹正光1，申玉芳1
(1.桂林工学院,有色金属材料及其加工新技术省部共建教育部重点实验室,广西,桂林,541004)
摘要:以蒸馏水为研磨介质,采用行星式球磨机对平均粒径约为10μm的SiC粉料进行了球磨,对球磨粉料进行酸洗除铁及水洗,制备出平均粒径为351.5nm的SiC超细粉料,详细分析了粉料制各过程中的物理化学变化与机理.结果发现:粗分散体系长时间球磨所得超细粉体溶液形成肢体分散系,体系固相含量增加,颗粒平均最小间距减小,颗粒间的范氏引力倍增,易形成团聚体;超细粉料胶体溶液在酸洗过程中产生了硬团聚,主要是由于Fe2+氧化水化成为Fe(OH)3胶桥,将超细粉料钳住所致;另外,测试溶液接近SiC等电点时亦会导致颗粒团聚.酸洗去除胶桥、调解溶液pH值可有效消除团聚.
关键词:SiC超细粉; 最小间距; Fe(OH)3胶桥; 等电点; 机理;
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