单晶铜ECAP/Bc路径形变结构与力学性能

郭廷彪^1,2，王晨¹，李琦¹，张锋¹，贾智^1,2

1. 兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室2. 有色金属合金及加工教育部重点实验室

摘 要：采用电子背散射衍射技术(EBSD)、XRD,研究了单晶铜在等通道转角挤压(ECAP)/Bc路径4道次变形过程中的形变结构演变,并检测了变形材料的力学性能。结果表明:低道次变形不改变单晶铜的宏观取向;2道次变形后,材料微观组织中出现取向一致的剪切带,与ED轴成15°～20°角,晶粒内部出现了形变织构{111}<112>;经过4道次变形后,剪切带与ED轴夹角不变,但倾斜方向与2道次相反,形变织构不发生改变,且未出现大角度晶界;5道次变形后,抗拉强度由168 MPa提高至395 MPa,延伸率则从63%降至26.5%,硬度由600 MPa提高到1250 MPa,之后趋于平缓;由于位错堆积,材料塑性变差,断口颈缩面积变大。ECAP可使单晶铜在晶粒未破碎的情况下得到强化。

关键词：等通道转角挤压;电子背散射衍射;织构;单晶铜;