反应溅射Si-C-N薄膜的结构分析
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第1期
论文作者：胡行方 宋力昕 彭晓峰 江伟辉 肖兴成
关键词：SiCN薄膜; 结构分析; XPS; FTIR;
摘 要：本文用射频反应磁控溅射制备了SiCN薄膜,对薄膜的化学成分、结构进行了研究.结果表明,反应气体N2、Si、C三者之间形成了Si-C、Si-N和C-N键,构成了复杂的网络结构.成分分析表明薄膜的化学计量式近似为SiCN.对比分析了反应溅射制备SiCN、CNx、SiNy和SiCz薄膜的FTIR谱.
胡行方1，宋力昕1，彭晓峰1，江伟辉1，肖兴成1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050)
摘要:本文用射频反应磁控溅射制备了SiCN薄膜,对薄膜的化学成分、结构进行了研究.结果表明,反应气体N2、Si、C三者之间形成了Si-C、Si-N和C-N键,构成了复杂的网络结构.成分分析表明薄膜的化学计量式近似为SiCN.对比分析了反应溅射制备SiCN、CNx、SiNy和SiCz薄膜的FTIR谱.
关键词:SiCN薄膜; 结构分析; XPS; FTIR;
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