Bi₂Se₃薄膜及Pb掺杂电子结构变化的第一性原理（英文）

来源期刊：稀有金属材料与工程2016年第11期

论文作者：陈磊 朱亚波 李延龄 范贺良 赫占军

文章页码：2809 - 2813

关键词：Bi₂Se₃薄膜;能带;态密度;电子结构;

摘    要：利用第一性原理平面波赝势方法,研究Bi₂Se₃从块体到薄膜的电子结构变化特性。通过分析材料的原子位置以及电子间相互作用,具体探讨块体、双层和单层薄膜及单层Pb掺杂薄膜的能带结构、态密度等。计算结果表明,这几种材料的价带和导带主要由原子的p态构成,同时由于Bi（Pb）的6s轨道态对价带顶的影响,它们的带隙类型随着材料结构的变化,发生从直接带隙到间接带隙的转变,此外Pb掺杂单层薄膜后产生的Se（1’）层对其电子结构的变化有重要影响。