1.3μmInAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：张永刚 陈意桥 李爱珍 陈建新 齐鸣
关键词：量子阱结构; 半导体激光器; 化合物半导体;
摘 要：采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA,在25oC至90oC温度范围内特征温度大于90K,并表现出较好的单纵模特性.
张永刚1，陈意桥1，李爱珍1，陈建新1，齐鸣1
(1.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050)
摘要:采用气态源分子束外延方法及应变补偿生长工艺生长了InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱激光器材料,采用选择刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作成了脊波导型1.3μm激光器芯片并对芯片性能进行了统计测量,测量结果表明此种激光器芯片在室温下的阈值电流可小于10mA,在25oC至90oC温度范围内特征温度大于90K,并表现出较好的单纵模特性.
关键词:量子阱结构; 半导体激光器; 化合物半导体;
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