SiN_x:Tb³⁺薄膜中Tb³⁺与银表面等离激元耦合

来源期刊：材料科学与工程学报2009年第1期

论文作者：任常瑞 胡翔 李东升 杨德仁

文章页码：139 - 141

关键词：SiNx:Tb3+薄膜;银岛膜;衰减时间;表面等离激元;

摘    要：本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+发光荧光寿命,而且SiNx:Tb3+发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小。而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb3+的光模密度,并对SiNx:Tb3+发光荧光寿命产生影响。