氧压浸出提纯冶金级硅过程中添加剂对除杂效果的影响(英文)
来源期刊：昆明理工大学学报(自然科学版)2013年第1期
论文作者：谢克强 唐建文 马文会 宁哲 麦毅
文章页码：1 - 5
关键词：冶金级硅;提纯;氧压浸出;添加剂;
摘 要：研究了氧压浸出提纯冶金级硅过程中添加剂（硫酸铵）及原料粒度对去除金属杂质Fe、Al、Ca、Ti的影响.研究结果表明,添加剂硫酸铵的加入能够有效提高冶金硅中主要金属杂质的去除率,低压（无氧）条件下浸出,金属杂质Fe、Al、Ca、Ti的去除率比常压浸出分别高出4.6%、17.3%、16.6%及0.5%;氧压浸出又比低压（无氧）浸出的去除率分别高出22.2%、34.9%、19.5%及0.6%,且随着氧分压的升高,除Ti外Fe、Al、Ca的去除率明显提高;氧压条件下加入添加剂硫酸铵后,金属杂质Fe、Al、Ca、Ti的去除效果更为显著,分别达到85.1%、80.6%、95.4%和16.3%.硅粉粒径<75μm后对金属杂质的去除率的影响不明显.此外,对比浸出前后的SEM-EDS结果发现,常压浸出时硅中的Si-Fe-Ti杂质相难以去除,在氧压浸出并加入添加剂时,可部分去除.
谢克强1,2，唐建文1，马文会1,2，宁哲1，麦毅1
1. 昆明理工大学冶金与能源工程学院2. 昆明理工大学真空冶金国家工程实验室
摘 要：研究了氧压浸出提纯冶金级硅过程中添加剂（硫酸铵）及原料粒度对去除金属杂质Fe、Al、Ca、Ti的影响.研究结果表明,添加剂硫酸铵的加入能够有效提高冶金硅中主要金属杂质的去除率,低压（无氧）条件下浸出,金属杂质Fe、Al、Ca、Ti的去除率比常压浸出分别高出4.6%、17.3%、16.6%及0.5%;氧压浸出又比低压（无氧）浸出的去除率分别高出22.2%、34.9%、19.5%及0.6%,且随着氧分压的升高,除Ti外Fe、Al、Ca的去除率明显提高;氧压条件下加入添加剂硫酸铵后,金属杂质Fe、Al、Ca、Ti的去除效果更为显著,分别达到85.1%、80.6%、95.4%和16.3%.硅粉粒径<75μm后对金属杂质的去除率的影响不明显.此外,对比浸出前后的SEM-EDS结果发现,常压浸出时硅中的Si-Fe-Ti杂质相难以去除,在氧压浸出并加入添加剂时,可部分去除.
关键词：冶金级硅;提纯;氧压浸出;添加剂;
