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自蔓延高温合成氮化硅的生长机理

来源期刊:材料科学与工艺2001年第1期

论文作者:韩杰才 杜善义 张学忠 王华彬

关键词:自蔓延高温合成; 氮化硅; 生长机理;

摘    要:通过放气法观察到了短棒状β-Si3N4以气-液-固(VLS)机制生长的中间形态.以气-液-固机制生长的β-Si3N4所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质,而非反应物中的金属杂质,或氮气中的杂质氧气和水蒸汽等.在生长过程中,液相不断析出β-Si3N4,氧需在液-固中重新分配,使得液相中的氧逐渐减少,并得不到补偿,所以β-Si3N4长成短棒状.增加反应物中的氧含量,可以得到高长径比的β-Si3N4.氮气中适量的杂质氧气和水蒸汽有利于提高产物中Si3N4的α相与β相的比例.

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自蔓延高温合成氮化硅的生长机理

韩杰才1,杜善义1,张学忠1,王华彬1

(1.哈尔滨工业大学复合材料中心,)

摘要:通过放气法观察到了短棒状β-Si3N4以气-液-固(VLS)机制生长的中间形态.以气-液-固机制生长的β-Si3N4所需的液相依赖于反应物中的含氧杂质,而非反应物中的金属杂质,或氮气中的杂质氧气和水蒸汽等.在生长过程中,液相不断析出β-Si3N4,氧需在液-固中重新分配,使得液相中的氧逐渐减少,并得不到补偿,所以β-Si3N4长成短棒状.增加反应物中的氧含量,可以得到高长径比的β-Si3N4.氮气中适量的杂质氧气和水蒸汽有利于提高产物中Si3N4的α相与β相的比例.

关键词:自蔓延高温合成; 氮化硅; 生长机理;

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