放电等离子烧结工艺合成Ti3SiC2材料
来源期刊：材料科学与工程学报2008年第3期
论文作者：朱教群 周卫兵 梅炳初
关键词：铝; Ti3SiC2; 制备; 放电等离子烧结;
摘 要：以铝为助剂结合放电等离子烧结工艺,在较低温度下快速制备出高纯致密Ti3SiC2块体材料.掺加适量铝能加快Ti3SiC2的反应合成,提高制备材料的纯度,并促进Ti3SiC2晶体的生长和材料的快速烧结致密.在升温速率为80℃/min,z轴压力为30MPa时,材料制备的最佳温度为1250～1300℃.所制备材料经XRD、SME和EDS分析表明不含TiC和SiC等杂质相,Ti3SiC2为5～15μm的板状结晶,断裂韧性为6.8±0.2MPa·m1/2,弯曲强度为420±10MPa.
朱教群1，周卫兵1，梅炳初2
(1.武汉理工大学材料科学与工程学院;
2.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北武汉,430070)
摘要:以铝为助剂结合放电等离子烧结工艺,在较低温度下快速制备出高纯致密Ti3SiC2块体材料.掺加适量铝能加快Ti3SiC2的反应合成,提高制备材料的纯度,并促进Ti3SiC2晶体的生长和材料的快速烧结致密.在升温速率为80℃/min,z轴压力为30MPa时,材料制备的最佳温度为1250～1300℃.所制备材料经XRD、SME和EDS分析表明不含TiC和SiC等杂质相,Ti3SiC2为5～15μm的板状结晶,断裂韧性为6.8±0.2MPa·m1/2,弯曲强度为420±10MPa.
关键词:铝; Ti3SiC2; 制备; 放电等离子烧结;
【全文内容正在添加中】
