聚碳硅烷裂解中的氧影响分析
来源期刊：宇航材料工艺2005年第3期
论文作者：陈朝辉 肖安 陈曼华
关键词：先驱体; 聚碳硅烷; 裂解;
摘 要：以不同纯度的氮气为保护性气氛,采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响,并讨论了在有微量氧的气氛下,不同裂解条件对陶瓷产率的影响.结果表明,氧可以与聚碳硅烷起氧化反应,形成含氧基团,使裂解产物增重.合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件,可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响.当升温速率为30℃/min、氮气流量为80 mL/min时,气氛中微量氧的氧化程度降至最低,试样的陶瓷产率接近于实际值.
陈朝辉1，肖安1，陈曼华1
(1.国防科技大学航天与材料工程学院CFC重点实验室,长沙,410073)
摘要:以不同纯度的氮气为保护性气氛,采用差热法和红外光谱法研究微量氧对聚碳硅烷裂解的影响,并讨论了在有微量氧的气氛下,不同裂解条件对陶瓷产率的影响.结果表明,氧可以与聚碳硅烷起氧化反应,形成含氧基团,使裂解产物增重.合理地控制气氛流量、升温速率、试样量等裂解工艺条件,可有效地抑制氧对聚碳硅烷裂解的影响.当升温速率为30℃/min、氮气流量为80 mL/min时,气氛中微量氧的氧化程度降至最低,试样的陶瓷产率接近于实际值.
关键词:先驱体; 聚碳硅烷; 裂解;
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