热压法制备Bi2Te3基热电材料的组织与性能
来源期刊：兵器材料科学与工程2004年第3期
论文作者：吉晓华 倪华良 卢波辉 赵新兵
关键词：半导体材料; 热电材料; 真空热压; Bi2Te3; 强度;
摘 要：采用真空单轴热压( HUP)方法制备了 Bi2Te3基热电材料.结果表明, HUP试样的密度在原始区熔材料的 97%以上.所有 HUP试样的剪切强度都在 21MPa以上,与区熔 Bi2Te3基材料 (001)解理面的强度相比,提高 4倍左右.电学性能测试发现, HUP试样的电学性能低于区熔试样,其原因被认为主要是由于在材料粉碎和热压过程中,有效载流子浓度发生了变化.实验发现,相对于区熔试样, p型 HUP试样的最佳工作温度向低温方向偏移,而 n型 HUP试样的最佳工作温度向高温方向移动.
吉晓华1，倪华良1，卢波辉1，赵新兵1
(1.浙江大学,硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:采用真空单轴热压( HUP)方法制备了 Bi2Te3基热电材料.结果表明, HUP试样的密度在原始区熔材料的 97%以上.所有 HUP试样的剪切强度都在 21MPa以上,与区熔 Bi2Te3基材料 (001)解理面的强度相比,提高 4倍左右.电学性能测试发现, HUP试样的电学性能低于区熔试样,其原因被认为主要是由于在材料粉碎和热压过程中,有效载流子浓度发生了变化.实验发现,相对于区熔试样, p型 HUP试样的最佳工作温度向低温方向偏移,而 n型 HUP试样的最佳工作温度向高温方向移动.
关键词:半导体材料; 热电材料; 真空热压; Bi2Te3; 强度;
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