InGaAs/GaAs异质薄膜的MBE生长研究

罗子江^1,2，周勋^1,3，杨再荣¹，贺业全¹，何浩¹，邓朝勇¹，丁召¹

1. 贵州大学理学院2. 贵州财经学院教育管理学院3. 贵州师范大学物理与电子科学学院

摘 要：利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法。根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相。样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜。

关键词：MBE;RHEED;STM;InGaAs异质薄膜;