GMR/TMR材料及相关自旋电子芯片研究
来源期刊:功能材料2014年第10期
论文作者:钱正洪 白茹 孙宇澄 李源 杨昌茂
文章页码:10005 - 10014
关键词:自旋电子芯片;巨磁电阻材料;隧穿磁电阻材料;
摘 要:简要介绍了巨磁电阻材料和隧穿磁电阻材料的基本结构和性能,概述了自旋传感芯片、自旋磁电信号耦合芯片及存储芯片等几类相关自旋电子芯片的工作原理和器件性能,以及它们的应用前景。此外,也对在国内实现自旋电子芯片的产业化提出了自己的观点。
钱正洪1,2,白茹1,2,孙宇澄2,李源1,杨昌茂1,2
1. 杭州电子科技大学磁电子中心2. 湖北省磁电子工业技术研究院
摘 要:简要介绍了巨磁电阻材料和隧穿磁电阻材料的基本结构和性能,概述了自旋传感芯片、自旋磁电信号耦合芯片及存储芯片等几类相关自旋电子芯片的工作原理和器件性能,以及它们的应用前景。此外,也对在国内实现自旋电子芯片的产业化提出了自己的观点。
关键词:自旋电子芯片;巨磁电阻材料;隧穿磁电阻材料;