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烧结温度对钇掺杂氧化锌导电陶瓷局域电子密度和结构缺陷的影响

来源期刊：稀土2004年第5期

论文作者：张金仓籍远明

关键词：导电陶瓷; 正电子湮没; 局域电子密度; 缺陷;

摘要：应用正电子湮没技术,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了烧结温度对导电特性、局域电子密度、结构缺陷的影响特征.研究发现:提高烧结温度,Zn填隙离子迅速迁移,ZnO导电陶瓷电阻率明显下降,同时产生大量微空洞缺陷.

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张金仓¹，籍远明²

(1.上海大学,上海,200436;
2.中国矿业大学,北京校区,北京,100083)

摘要:应用正电子湮没技术,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了烧结温度对导电特性、局域电子密度、结构缺陷的影响特征.研究发现:提高烧结温度,Zn填隙离子迅速迁移,ZnO导电陶瓷电阻率明显下降,同时产生大量微空洞缺陷.

关键词:导电陶瓷; 正电子湮没; 局域电子密度; 缺陷;

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