硅单晶热稳定性研究
来源期刊：东北大学学报(自然科学版)1979年第2期
论文作者：梁连科 李志魁 周子岚 戴才旺
文章页码：66 - 76
摘 要：本文对N型(111)高阻、P型(111)和N型(100)低阻硅单晶,进行了热处理实验,研究了氧含量和热处理温度对无位错硅单晶的电阻率、寿命和红外吸收特性的影响,确定了影响电阻率稳定性的氧含量值。
梁连科，李志魁，周子岚，戴才旺
摘 要：本文对N型(111)高阻、P型(111)和N型(100)低阻硅单晶,进行了热处理实验,研究了氧含量和热处理温度对无位错硅单晶的电阻率、寿命和红外吸收特性的影响,确定了影响电阻率稳定性的氧含量值。
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