钼酸铵晶体生长动力学研究

来源期刊：中国钼业2001年第2期

论文作者：万林生 郭年祥 许秀莲 廖春发 徐志峰 邓庚凤 易永鹏

关键词：钼酸铵;晶体生长;速率;反应历程;控制性步骤;

摘    要：研究了四钼酸铵 （AQM ）晶体生长速率、反应历程和控制性步骤。结果表明 :AQM晶体线生长速率（ L）在 0 .3～ 1.75 μm/min范围内。过饱和生成速度大于消除速度的结晶初期 ,结晶过程处于相变反应控制的动力学区域 ,该区域 L和溶液过饱和度 （ΔC）由上升到下降。当过饱和消除速度增大到与生成速度相等时 ,过程转变为由Mo8O4 -2 6聚合反应控制的化学反应区域 ,此区域 L和ΔC处于稳定不变的状态。结晶后期 L（即ΔC）不变时 ,成核速率 N却依然快速升高的特征表明 ,AQM成核大部分是在首先接触到无机酸的局部溶液中完成的