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以淀粉为碳源碳热还原法合成多孔高比表面积β-SiC

来源期刊:功能材料2009年第11期

论文作者:肖益鸿 郑勇 魏可镁 蔡国辉 郑瑛

关键词:淀粉; 溶胶-凝胶; 碳热还原; β-SiC; starch; sol-gel; carbothermal; β-SiC;

摘    要:以淀粉为碳源,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,通过溶胶-凝胶法制备了碳化硅前驱体淀粉-SiO_2凝胶,将干凝胶在氩气氛中进行碳热还原制备碳化硅(SiC).用XRD、IR、SEM、TEM及N_2低温物理吸附等手段对合成的样品进行表征.结果表明,在淀粉-SiO2凝胶中添加镍催化剂在1450℃下就能合成出尺寸大小为40~60nm多孔高比表面积的纳米SiC,其孔径主要集中在4.2和10.6nm,比表面积为127.5m~2/g,孔体积为0.43cm~3/g.

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以淀粉为碳源碳热还原法合成多孔高比表面积β-SiC

肖益鸿1,郑勇1,魏可镁1,蔡国辉1,郑瑛1

(1.福州大学,化肥催化剂国家工程研究中心,福建,福州,350002;
2.福建师范大学,化学与材料学院,福建,福州,350007)

摘要:以淀粉为碳源,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,通过溶胶-凝胶法制备了碳化硅前驱体淀粉-SiO_2凝胶,将干凝胶在氩气氛中进行碳热还原制备碳化硅(SiC).用XRD、IR、SEM、TEM及N_2低温物理吸附等手段对合成的样品进行表征.结果表明,在淀粉-SiO2凝胶中添加镍催化剂在1450℃下就能合成出尺寸大小为40~60nm多孔高比表面积的纳米SiC,其孔径主要集中在4.2和10.6nm,比表面积为127.5m~2/g,孔体积为0.43cm~3/g.

关键词:淀粉; 溶胶-凝胶; 碳热还原; β-SiC; starch; sol-gel; carbothermal; β-SiC;

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