常压固相烧结法制备ZAO靶材及其性能的研究
来源期刊:湖南科技大学学报自然科学版2008年第1期
论文作者:江民红 李海麒 刘心宇
关键词:ZAO薄膜; 陶瓷靶材; 微观结构;
摘 要:采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的ZAO靶材.研究了掺杂含量、烧结温度对陶瓷靶材微观结构和性能的影响,并使用自制靶材,采用射频磁控溅射法镀膜.结果表明:Al2O3的掺杂没有破坏zno晶体结构,Al原子对Zn原子进行有效替位;晶粒尺寸随着掺杂量的增多而减小;靶材的电阻率随掺杂量的增加呈U型变化,在3wt%时取得最小值4.2×10-2Ω·cm;靶材致密度超过96%.使用该靶材生长的多晶ZAO薄膜具有(002)择优取向,结晶均匀,呈柱状生长,薄膜电阻率和可见光平均透射率可分别达到8×10-4Ω·cm~9×10-4Ω·cm和85%.图9,表1,参14.
江民红1,李海麒1,刘心宇1
(1.桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004;
2.广西信息材料重点实验室,广西,桂林,541004)
摘要:采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的ZAO靶材.研究了掺杂含量、烧结温度对陶瓷靶材微观结构和性能的影响,并使用自制靶材,采用射频磁控溅射法镀膜.结果表明:Al2O3的掺杂没有破坏zno晶体结构,Al原子对Zn原子进行有效替位;晶粒尺寸随着掺杂量的增多而减小;靶材的电阻率随掺杂量的增加呈U型变化,在3wt%时取得最小值4.2×10-2Ω·cm;靶材致密度超过96%.使用该靶材生长的多晶ZAO薄膜具有(002)择优取向,结晶均匀,呈柱状生长,薄膜电阻率和可见光平均透射率可分别达到8×10-4Ω·cm~9×10-4Ω·cm和85%.图9,表1,参14.
关键词:ZAO薄膜; 陶瓷靶材; 微观结构;
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