C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
来源期刊：材料研究学报2008年第1期
论文作者：张杨 傅竹西 顾玉宗 苏剑峰 郑海务
关键词：无机非金属材料; 6H-SiC薄膜; 低压CVD; 蓝宝石; 微结构;
摘 要：采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用A1N过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.
张杨1，傅竹西2，顾玉宗1，苏剑峰2，郑海务1
(1.微系统物理研究所,河南大学物理与电子学院,开封,475001;
2.中国科学技术大学物理系,合肥,230026)
摘要:采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用A1N过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.
关键词:无机非金属材料; 6H-SiC薄膜; 低压CVD; 蓝宝石; 微结构;
【全文内容正在添加中】
