OsSi₂电子结构及介电性能的第一性原理研究

来源期刊：材料导报2016年第12期

论文作者：张华 余志强 张昌华 廖红华

文章页码：149 - 152

关键词：第一性原理;外延生长;二硅化锇;电子结构;介电性能;

摘    要：采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了硅基异质外延的OsSi₂的电子结构和介电性能。结果表明,在1.010nm≤a≤1.030nm范围内,OsSi₂始终为间接带隙的能带结构,且带隙值随晶格常数a的增大而逐渐减小;当晶格常数a为1.020nm时,体系处于稳定平衡态,此时OsSi₂具有0.625eV的间接带隙能量值;OsSi₂的价带主要由Os的5d、5p和Si的3s、3p态电子构成,导带主要由Si的3s、3p和Os的5d、6s态电子构成;OsSi₂在外延稳定平衡态及其附近的介电函数实部和虚部变化趋近一致,与块体OsSi₂相比,OsSi₂在外延稳定平衡态下的介电函数曲线相对往低能区飘移,OsSi₂的介电峰减少且介电峰强度明显增强。