碲铟汞(111)晶面腐蚀坑的研究
来源期刊：功能材料2010年第10期
论文作者：罗林 介万奇 孙叶 王涛 傅莉
文章页码：1853 - 1856
关键词：碲铟汞;腐蚀坑;位错;电子背散射衍射;双交滑移;
摘 要：通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究。实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角。进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释。
罗林，介万奇，孙叶，王涛，傅莉
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
摘 要：通过扫描电镜、扫描探针显微镜和电子背散射衍射仪对改进的Chen法腐蚀液在Hg3In2Te6(111)晶片上形成的腐蚀坑进行了研究。实验发现,腐蚀坑形貌主要有线形、梭形、枣形3种,且后两者的沟槽在(111)面的投影只有3种取向,并互成120°夹角。进一步分析的结果表明,上述蚀坑的形成可由螺位错双交滑移的模型加以解释。
关键词：碲铟汞;腐蚀坑;位错;电子背散射衍射;双交滑移;
