铌硅化合物氧化行为的X射线衍射分析
来源期刊：理化检验物理分册2004年第1期
论文作者：姜传海 吴建生 叶长青 周健威
关键词：铌硅化合物; 氧化行为; X射线衍射;
摘 要：利用原位X射线衍射技术,研究了Nb5Si3-66%NbSi2和NbSi2的中温氧化行为及氧化层物相结构.结果表明,随着含硅量增加,材料抗氧化能力加强,其中NbSi2氧化反应速度较慢.在氧分压较低情况下,NbSi2氧化后同时生成Nb2O5及NbO氧化物.
姜传海1，吴建生1，叶长青1，周健威1
(1.上海交通大学材料科学与工程学院,高温材料及高温测试教育部重点实验室,上海,200030)
摘要:利用原位X射线衍射技术,研究了Nb5Si3-66%NbSi2和NbSi2的中温氧化行为及氧化层物相结构.结果表明,随着含硅量增加,材料抗氧化能力加强,其中NbSi2氧化反应速度较慢.在氧分压较低情况下,NbSi2氧化后同时生成Nb2O5及NbO氧化物.
关键词:铌硅化合物; 氧化行为; X射线衍射;
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