纳米永磁晶粒边界类磁畴壁的形成与剩磁增强效应
来源期刊：磁性材料及器件2006年第3期
论文作者：赵国平 孙明俊 梁军
关键词：纳米磁体; 类磁畴结构; 剩磁增强效应; 解析公式;
摘 要：纳米永磁晶粒之间的交换耦合相互作用导致在晶界处形成一种类磁畴壁结构的过渡区域.假设过渡区内的磁矩在方向上呈线性分布,由总能量取极小值的条件得到过渡区的宽度和剩磁的解析公式,能够很好地解释各向同性纳米磁体的剩磁增强效应.
赵国平1，孙明俊1，梁军1
(1.四川师范大学,物理与电子工程学院,固体物理研究所,四川,成都,610066)
摘要:纳米永磁晶粒之间的交换耦合相互作用导致在晶界处形成一种类磁畴壁结构的过渡区域.假设过渡区内的磁矩在方向上呈线性分布,由总能量取极小值的条件得到过渡区的宽度和剩磁的解析公式,能够很好地解释各向同性纳米磁体的剩磁增强效应.
关键词:纳米磁体; 类磁畴结构; 剩磁增强效应; 解析公式;
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