高温模锻对钨铜电子封装材料组织和性能的影响

来源期刊：粉末冶金材料科学与工程2011年第3期

论文作者：姜国圣 王志法 古一

文章页码：403 - 406

关键词：钨铜电子封装材料;高温锻造;组织;性能;

摘    要：采用高温熔渗法制备钨铜电子封装材料,在850℃下对该材料进行模锻,通过扫描电镜（SEM）观察材料的微观组织,并利用超声波块体扫描仪探测材料内部的孔隙分布情况,研究高温模锻对钨铜电子封装材料组织和性能的影响。结果表明:在850℃高温模锻能显著减少钨铜电子封装材料内部的孔洞缺陷,内部组织更均匀、致密。经1次高温模锻后,相对密度达到99.5%,气密性由锻造前的27×10-10（Pa-m3）/s提高到3.5×10-10（Pa-m3）/s,导热系数从181.0 W/（m-K）提高至195 W/（m-K）。增加锻造次数对密度影响有限,材料性能变化不大。