离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第2期
论文作者：王永进 张昌盛 张峰 陈志君 程新利 肖海波
关键词：Er; 富硅氧化硅; 光致发光; 温度淬灭;
摘 要：利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化.试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中.通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T＞ 150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率.
王永进1，张昌盛1，张峰1，陈志君1，程新利1，肖海波1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050)
摘要:利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化.试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中.通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T＞ 150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率.
关键词:Er; 富硅氧化硅; 光致发光; 温度淬灭;
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