氨化温度对氨化Ga2O3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响
来源期刊：功能材料2008年第2期
论文作者：庄惠照 薛成山 薛守斌 胡丽君
关键词：Ga2O3/Al膜; GaN 纳米棒; 氨化; 磁控溅射;
摘 要：采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响.对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HRTEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响.结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒.
庄惠照1，薛成山1，薛守斌1，胡丽君1
(1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014)
摘要:采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响.对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HRTEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响.结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒.
关键词:Ga2O3/Al膜; GaN 纳米棒; 氨化; 磁控溅射;
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