结晶状态对铜内耗频率谱的影响
来源期刊：金属学报2003年第11期
论文作者：王晓伟 张进修 龚康 朱震刚
关键词：内耗; 频率谱; 多晶铜; 单晶铜; 纳米晶铜; 共振吸收;
摘 要：用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490 Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰.3种试样在晶粒结构上存在极大差别,但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围,这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关,而与材料的晶体点阵性质密切相关.
王晓伟1，张进修2，龚康2，朱震刚4
(1.中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合;
2.中山大学光电技术与材料国家重点实验室,广州 510275;
3.中山大学物理系,广州,510275;
4.中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放实验室,合肥,230031)
摘要:用内耗频率谱仪测量了多晶铜、纳米晶铜和单晶铜试样的内耗频率谱,在170,320以及490 Hz附近观测到3个明显的共振吸收频率峰.3种试样在晶粒结构上存在极大差别,但其共振吸收内耗峰出现在相同频率范围,这说明产生内耗频率峰的机制与晶体缺陷和晶粒尺度无关,而与材料的晶体点阵性质密切相关.
关键词:内耗; 频率谱; 多晶铜; 单晶铜; 纳米晶铜; 共振吸收;
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