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MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期

论文作者：赵福川夏冠群詹琰朱朝嵩李传海

关键词：砷化镓; MESFET; 旁栅效应; 旁栅阈值电压;

摘要：研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比.

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赵福川¹，夏冠群¹，詹琰¹，朱朝嵩¹，李传海¹

(1.中国科学院上海冶金研究所,上海200050)

摘要:研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比.

关键词:砷化镓; MESFET; 旁栅效应; 旁栅阈值电压;

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