SnO₂-Zn₂SnO₄与SrTiO₃压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究

来源期刊：功能材料2018年第4期

论文作者：刘新才 王晓飞 李立本 王丹丹

文章页码：4098 - 4101

关键词：压敏电阻;介电性质;电子陶瓷;电容;晶界势垒;

摘    要：通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO₂-Zn₂SnO₄陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO₃压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者的压敏电压均低于10V/mm,但SnO₂-Zn₂SnO₄陶瓷具有较为优越的电学非线性性质,其非线性系数达到7.6,漏电流仅为56μA/cm²。40 Hz时,SnO₂-Zn₂SnO₄陶瓷的相对介电常数为2×10⁴,低于SrTiO₃的9×10⁴,同时,SnO₂-Zn₂SnO₄陶瓷的介电损耗要高于SrTiO₃,且随着频率的升高急剧降低。通过对比研究,SnO₂-Zn₂SnO₄陶瓷具有潜在的应用价值。