掺杂和辐照对MgB2超导电性影响的研究进展
来源期刊:材料导报2008年第6期
论文作者:刘翠芳 刘志勇 倪宝荣
关键词:MgB2; 掺杂; 辐照; 超导电性;
摘 要:分别从掺杂和辐照两个方面论述了改善MgB2超导电性的研究进展.研究发现:虽然只有少数掺杂物可以提高MgB2的临界转变温度,但几乎所有的掺杂都会提高样品的临界电流密度Jc和不可逆场Hirr.在所有的掺杂物中,SiC掺杂取得了最好的效果.另外研究发现,通过一定程度的辐照也可以提高MgB2的超导电性,但辐照存在一个最佳的剂量,过量的辐照会产生破坏作用.
刘翠芳1,刘志勇1,倪宝荣2
(1.桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室,桂林,541004;
2.福冈工业大学功能材料研究中心,福冈,811-0295,日本)
摘要:分别从掺杂和辐照两个方面论述了改善MgB2超导电性的研究进展.研究发现:虽然只有少数掺杂物可以提高MgB2的临界转变温度,但几乎所有的掺杂都会提高样品的临界电流密度Jc和不可逆场Hirr.在所有的掺杂物中,SiC掺杂取得了最好的效果.另外研究发现,通过一定程度的辐照也可以提高MgB2的超导电性,但辐照存在一个最佳的剂量,过量的辐照会产生破坏作用.
关键词:MgB2; 掺杂; 辐照; 超导电性;
【全文内容正在添加中】