电子回旋共振等离子体辅助溅射沉积锂磷氧氮薄膜
来源期刊：无机材料学报2006年第1期
论文作者：李驰麟 任兆杏 傅正文 舒兴胜
关键词：锂磷氧氮薄膜; 溅射沉积; 电子回旋共振; 锂离子传导率;
摘 要：用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮(LiPON)薄膜.X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜.结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量,改变薄膜的组成与结构.但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构,不利于N的插入.最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜,它的电导率约为8×10-6S/cm.讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理.
李驰麟1，任兆杏2，傅正文1，舒兴胜2
(1.复旦大学化学系激光化学研究所,上海市分子催化和功能材料重点实验室,上海,200433;
2.中国科学院等离子体物理研究所,合肥,230031)
摘要:用电子回旋共振(ECR)等离子体辅助射频溅射沉积法制备快锂离子传导的锂磷氧氮(LiPON)薄膜.X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱等手段表征了在不同ECR功率辅助下沉积的薄膜.结果显示,ECR等离子体对磁控溅射沉积薄膜的生长有明显的影响,能够提高N的插入量,改变薄膜的组成与结构.但是过高的ECR功率反而易破坏薄膜的结构,不利于N的插入.最佳的实验条件是在ECR 200W辅助下沉积的LiPON薄膜,它的电导率约为8×10-6S/cm.讨论了ECR对沉积LiPON薄膜的N插入机理.
关键词:锂磷氧氮薄膜; 溅射沉积; 电子回旋共振; 锂离子传导率;
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