GaN基稀磁半导体的离子注入研究动态
来源期刊：材料导报2004年第9期
论文作者：林玲 石瑛 蒋昌忠
关键词：GaN; 稀磁半导体; 离子注入;
摘 要：离子注入掺Mn的GaN基稀磁半导体,由于具有高于室温的居里温度及一系列独特性质而受到广泛重视.综述了GaN基稀磁半导体离子注入的近期研究成果,讨论了能量、剂量、温度、束流、退火条件等因素对GaMnN结构和性能的影响,并对GaMnN中铁磁性的起源,就理论和实验两方面的结果作了讨论.
林玲1，石瑛1，蒋昌忠1
(1.武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072)
摘要:离子注入掺Mn的GaN基稀磁半导体,由于具有高于室温的居里温度及一系列独特性质而受到广泛重视.综述了GaN基稀磁半导体离子注入的近期研究成果,讨论了能量、剂量、温度、束流、退火条件等因素对GaMnN结构和性能的影响,并对GaMnN中铁磁性的起源,就理论和实验两方面的结果作了讨论.
关键词:GaN; 稀磁半导体; 离子注入;
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