反应烧结MoSi2-SiC复相材料电阻率的拓扑研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2003年第8期
论文作者：金志浩 吕振林 张小立
关键词：MoSi2-SiC; 复相材料; 电阻率; 连接程度;
摘 要：用拓扑法计算了不同显微组织的MoSi2-SiC材料的电阻率,得到的理论推算结果与实验值吻合很好.研究结果表明,提高高电阻率SiC的体积分数和降低MoSi2-SiC分布的连续性,可提高MoSi2-SiC材料整体的电阻率.该方法可用来预测要得到所需电阻率材料中应具有的SiC含量和分布形态,为确定MoSi2-SiC复相材料的显微结构设计提供指导.
金志浩1，吕振林2，张小立1
(1.西安交通大学,陕西,西安,710049;
2.西安理工大学,陕西,西安,710048)
摘要:用拓扑法计算了不同显微组织的MoSi2-SiC材料的电阻率,得到的理论推算结果与实验值吻合很好.研究结果表明,提高高电阻率SiC的体积分数和降低MoSi2-SiC分布的连续性,可提高MoSi2-SiC材料整体的电阻率.该方法可用来预测要得到所需电阻率材料中应具有的SiC含量和分布形态,为确定MoSi2-SiC复相材料的显微结构设计提供指导.
关键词:MoSi2-SiC; 复相材料; 电阻率; 连接程度;
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