ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为
来源期刊：材料科学与工程学报2018年第5期
论文作者：王洋 焦雷 李惠 郑秀 曹鸿涛 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞
文章页码：726 - 1586
关键词：忆阻器;自整流;神经突触器件;ZnO;
摘 要：Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性。I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理。在此基础上模拟了生物神经突触的长程可塑性以及学习-遗忘-再学习经验式行为。
王洋1，焦雷1，李惠3，郑秀4，曹鸿涛4，梁凌燕4，张洪亮4，高俊华4，诸葛飞4
1. 江苏大学材料科学与工程学院3. 江苏科技大学材料科学与工程学院4. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘 要：Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性。I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理。在此基础上模拟了生物神经突触的长程可塑性以及学习-遗忘-再学习经验式行为。
关键词：忆阻器;自整流;神经突触器件;ZnO;
