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钾掺杂钨合金中气相热充氘的热脱附行为

来源期刊:稀有金属材料与工程2021年第3期

论文作者:郑振华 叶小球 吴吉良 蒋春丽 杨飞龙 桑革

文章页码:1000 - 1006

关键词:面向等离子体材料;钾掺杂钨合金;气相热充;热脱附;氘滞留;

摘    要:钾(K)掺杂钨(W)合金已经表现了优异的高温力学性能,成为最有希望的PFMs备选材料之一。为评估氢同位素在W-K合金中的滞留情况,采用放电等离子烧结技术(SPS),制备了纯W及K含量82μg/g的W-K合金,通过气相热充法引入氘(D)元素,考察热脱附行为。研究表明,气相热充氘释放温区从600K延伸至1200K,掺杂K后,D脱附活化能从0.86 eV下降到0.68 eV;纯W样品D滞留量在1×10-6(原子比)左右,掺杂K后有所提高,但依然大大优于商用ITER级纯W。

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钾掺杂钨合金中气相热充氘的热脱附行为

郑振华1,2,叶小球2,吴吉良2,蒋春丽2,杨飞龙1,桑革1,2

1. 中国工程物理研究院材料研究所2. 表面物理与化学重点实验室

摘 要:钾(K)掺杂钨(W)合金已经表现了优异的高温力学性能,成为最有希望的PFMs备选材料之一。为评估氢同位素在W-K合金中的滞留情况,采用放电等离子烧结技术(SPS),制备了纯W及K含量82μg/g的W-K合金,通过气相热充法引入氘(D)元素,考察热脱附行为。研究表明,气相热充氘释放温区从600K延伸至1200K,掺杂K后,D脱附活化能从0.86 eV下降到0.68 eV;纯W样品D滞留量在1×10-6(原子比)左右,掺杂K后有所提高,但依然大大优于商用ITER级纯W。

关键词:面向等离子体材料;钾掺杂钨合金;气相热充;热脱附;氘滞留;

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