退火对栅介质SrHfON薄膜性能的影响

来源期刊：稀有金属材料与工程2012年第5期

论文作者：刘璐 刘正堂 冯丽萍 田浩 刘其军 王雪梅

文章页码：925 - 928

关键词：栅介质;SrHfON薄膜;射频磁控溅射;

摘    要：采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备新型栅介质SrHfON薄膜。采用X射线衍射（XRD）仪、高分辨透射电镜（HRTEM）和X射线光电子谱（XPS）分析退火对SrHfON薄膜的界面形态、薄膜的结构和电学性能的影响。结果表明,SrHfON薄膜经900℃退火后仍保持非晶态,表现出良好的热稳定性。SrHfON薄膜与Si衬底的界面主要由HfSixOy和SiO2组成。以SrHfON薄膜为栅介质的MOS电容结构具有较小的漏电流密度,并且漏电流密度随着退火温度的升高而减小。在外加偏压（Vg）为+1V时样品在沉积态和900℃退火后的漏电流密度分别为4.3×10-6和1.2×10-7A/cm2。研究表明,SrHfON薄膜是一种很有希望替代SiO2的新型栅介质材料。