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SiC薄膜材料与器件最新研究进展

来源期刊：材料导报2007年第3期

论文作者：刘福郑旭强周继承

关键词：SiC材料; SiC器件; 研究现状; 关键技术; 发展趋势;

摘要：SiC单晶因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料.综述了SiC材料及器件的研究现状、关键技术和发展趋势;分析了我国的研究现状和存在的差距.

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刘福¹，郑旭强¹，周继承¹

(1.中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083)

摘要:SiC单晶因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料.综述了SiC材料及器件的研究现状、关键技术和发展趋势;分析了我国的研究现状和存在的差距.

关键词:SiC材料; SiC器件; 研究现状; 关键技术; 发展趋势;

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